Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3936

2SK3936
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2 - 2 16.27€ 19.85€
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2SK3936. C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 92A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 500uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 30
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 30
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