2SA1265

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2SA1265. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI, NF-E. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3182. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

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