2SK4075

2SK4075. C(in): 2900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta corrente. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K4075. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Tecnologia: MOSFET DI POTENZA, transistor ad effetto di campo. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.