2SK3699-01MR

2SK3699-01MR. C(in): 430pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3699. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Rds sulla resistenza attiva: 3.31 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.