3LN01SS

3LN01SS. C(in): 7pF. Costo): 5.9pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (massimo): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.