2SK904

2SK904. C(in): 900pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.