Transistor

Tipo di canale: N-P. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

C(in): 1980pF. Costo): 317pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 11.2 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 0.02mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 27 ns. Td(acceso): 5.5 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: FET in SMPS, commutazione del carico. Protezione GS: NINCS

C(in): 3760pF. Costo): 682pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 18 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Ids: 0.1mA. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 0.1mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0039 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 9.5 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 2154pF. Costo): 474pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 0.1mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25.2 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 27.5us. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 46m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 4.7V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 2

C(in): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 0.01uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione GS: NINCS

C(in): 920pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 21.4 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D405. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 24.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: transistor complementare (coppia) AOD408. Protezione GS: NINCS

C(in): 1040pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D408. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 13.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17.4 ns. Td(acceso): 4.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: transistor complementare (coppia) AOD405. Protezione GS: NINCS

C(in): 2977pF. Costo): 241pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D409. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 32m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 450pF. Costo): 61pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 27.6 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 47m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 4.2 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione GS: NINCS

C(in): 951pF. Costo): 373pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 10.2 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 18.5 ns. Td(acceso): 6.25 ns. Tecnologia: "La più recente tecnologia Trench Power MOSFET". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.8V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: RDS molto basso (attivato) a 10 VGS. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Costo): 16pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 172ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 17 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. C(in): 273pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 962pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 332ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Rds sulla resistenza attiva: 0.71 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 24 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2850pF. Costo): 258pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3430pF. Costo): 1327pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33.8 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "L ultima tecnologia Trench Power AlphaMOS". Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: DFN8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: 7401. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 24 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2060pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N-P. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Marcatura sulla cassa: P605. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Tipo di canale: N-P. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

C(in): 1100pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: AOY2610E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 22 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: Trench Power AlphaSGTTM technology. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 mS. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03GS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

C(in): 990pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 35V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: 4501GM. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)