Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.71€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.68€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.64€ | 0.78€ |
25 - 49 | 0.61€ | 0.74€ |
50 - 99 | 0.59€ | 0.72€ |
100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
250 - 2837 | 0.52€ | 0.63€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.71€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.68€ | 0.83€ |
10 - 24 | 0.64€ | 0.78€ |
25 - 49 | 0.61€ | 0.74€ |
50 - 99 | 0.59€ | 0.72€ |
100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
250 - 2837 | 0.52€ | 0.63€ |
AO4828. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 27.5us. Funzione: Transistor MOSFET, Rds (ON) molto basso. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 46m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 4.7V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 2. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
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