Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.94€ | 2.37€ |
5 - 9 | 1.84€ | 2.24€ |
10 - 24 | 1.74€ | 2.12€ |
25 - 41 | 1.65€ | 2.01€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.94€ | 2.37€ |
5 - 9 | 1.84€ | 2.24€ |
10 - 24 | 1.74€ | 2.12€ |
25 - 41 | 1.65€ | 2.01€ |
AOD9N50. C(in): 962pF. Costo): 98pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 332ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Rds sulla resistenza attiva: 0.71 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 24 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
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