Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.70€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.50€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.31€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.23€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.89€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.70€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.50€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.31€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.23€ |
AP40T03GJ. C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
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