AO4714

AO4714. C(in): 3760pF. Costo): 682pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 18 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Ids: 0.1mA. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 0.1mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0039 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 9.5 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.