Transistor

Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 80pF. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: per applicazioni di media potenza e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC161-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 180pF. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: 1A. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): +175°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(massimo): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC141. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: ( E,C,B ). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V

Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC212BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 280 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC237BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 120V. Corrente del collettore: 0.5A. Potenza: 0.85W. Frequenza massima: 120MHz. Alloggiamento: TO-39

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Potenza: 0.85W. Frequenza massima: 120MHz. Alloggiamento: TO-39

Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -60V. C(in): -0.5A. Costo): 0.85W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 7V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C32716. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 260 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP