Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC182B

BC182B
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10 - 24 0.18€ 0.22€
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50 - 99 0.16€ 0.20€
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BC182B. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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BC546B

BC546B

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Cost...
BC546B
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC546B
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N3904

2N3904

C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semicond...
2N3904
C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N3904
C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC637

BC637

C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. ...
BC637
C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC637
C(in): 50pF. Costo): 7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC546A

BC546A

Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10...
BC546A
Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC546A
Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC556B
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800....
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NJM4558D

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Funzione: amplificatore operazionale. Nota: OP-IC. Nota: 158 series. Numero di terminali: 8:1. RoHS:...
NJM4558D
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Quantità in magazzino : 17530
BC546B

BC546B

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Cost...
BC546B
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CCER470PF100V

Capacità: 470nF. Diametro: 6mm. Materiale del condensatore: ceramica. Passo: 5mm. Tensione CC: 100V...
CCER470PF100V
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CCER470PF100V
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