BC161-16

BC161-16. Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 180pF. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: 1A. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): +175°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(massimo): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC141. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.