BC304
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.12€ |
| 10 - 24 | 0.87€ | 1.06€ |
| 25 - 49 | 0.82€ | 1.00€ |
| 50 - 88 | 0.80€ | 0.98€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.12€ |
| 10 - 24 | 0.87€ | 1.06€ |
| 25 - 49 | 0.82€ | 1.00€ |
| 50 - 88 | 0.80€ | 0.98€ |
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BC304. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.
Prodotti equivalenti :
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Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -60V. C(in): -0.5A. Costo): 0.85W. Quantità per scatol...
Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -60V. C(in): -0.5A. Costo): 0.85W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -60V. C(in): -0.5A. Costo): 0.85W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.5A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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