Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC550CG

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10 - 24 0.13€ 0.16€
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500 - 5286 0.0874€ 0.1066€
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BC550CG. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 9pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): +150°C. Equivalenti: BC550CG, BC550CBU. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC560C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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BC550C

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 420...800 (I...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC560C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC550C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC560C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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