Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC369

BC369
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 0.42€ 0.51€
2 - 2 0.40€ 0.49€
3 - 4 0.38€ 0.46€
5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 24 0.34€ 0.41€
25 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 232 0.30€ 0.37€
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Set da 10

BC369. RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC369. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 45 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPO...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BC636

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C(in): 110pF. Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. ...
BC636
C(in): 110pF. Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Data di produzione: 1997.04. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC636
C(in): 110pF. Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Data di produzione: 1997.04. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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