Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC636

BC636
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 0.84€ 1.02€
2 - 2 0.80€ 0.98€
3 - 4 0.76€ 0.93€
5 - 9 0.72€ 0.88€
10 - 24 0.67€ 0.82€
25 - 49 0.63€ 0.77€
50 - 124 0.59€ 0.72€
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Set da 10

BC636. C(in): 110pF. Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Data di produzione: 1997.04. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.

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Prodotti equivalenti :

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BC640

BC640

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPO...
BC640
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC640
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
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BC639

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...
BC639
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BC639
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BC639-16

BC639-16

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 ...
BC639-16
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BC639-16
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Quantità in magazzino : 685
CCER100NF100V

CCER100NF100V

Capacità: 100nF. Diametro: 6mm. Nota: Tc--Y5V. Materiale del condensatore: ceramica. Passo: 5.08mm....
CCER100NF100V
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CCER100NF100V
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Quantità in magazzino : 28
2SC1845

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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: A...
2SC1845
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2SC1845
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1.10€ IVA incl.
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Esaurito
Z0405NF

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Funzione: Cancello sensibile. Igt (massimo): 5mA. Igt (tipo): 5mA. Ih (max): 5mA. Ih (tipo): 5mA. IT...
Z0405NF
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Quantità in magazzino : 92
2SC2383

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Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massi...
2SC2383
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2SC2383
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0.77€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 4
KSC945-G

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Piedinatura: 1. C(in): 1.5pF. Costo): 11pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: sili...
KSC945-G
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0.43€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 17
2SC536

2SC536

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Co...
2SC536
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2SC536
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4.72€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 12276
BC557B

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
BC557B
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