Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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5 - 9 0.78€ 0.95€
10 - 24 0.76€ 0.93€
25 - 49 0.74€ 0.90€
50 - 63 0.72€ 0.88€
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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BC640

BC640

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
BC640
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BC640
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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2SA1013

2SA1013

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. ...
2SA1013
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
2SA1013
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
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2N5401

2N5401

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura P...
2N5401
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: 2N5401. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
2N5401
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: 2N5401. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Quantità in magazzino : 84
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Quantità in magazzino : 511
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: T...
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1N4004
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(0.0359€ Iva esclusa)
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Esaurito
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Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. C...
2SC4793
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2.27€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 90
NJM4558D

NJM4558D

Funzione: amplificatore operazionale. Nota: OP-IC. Nota: 158 series. Numero di terminali: 8:1. RoHS:...
NJM4558D
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2.45€ IVA incl.
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