Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303
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Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V - BC303. Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -60V. C(in): -0.5A. Costo): 0.85W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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BC640

BC640

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
BC640
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SA1013

2SA1013

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. ...
2SA1013
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N5401

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura P...
2N5401
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
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