Transistor

Tipo di canale: N-P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P)

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DIP-8. Alloggiamento: DIP. Quantità per scatola: 2. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD TO-252-4L*. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Ids: 10uA. Idss (massimo): 10.4A. Marcatura sulla cassa: 4800C G M. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Protezione GS: NINCS

C(in): 8440pF. Costo): 1775pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 88N30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Rds sulla resistenza attiva: 48m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1440pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 43 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Funzione: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

C(in): 1170pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 9962GH. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 27.8W. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 8 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 9971GH. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NO. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220CFM. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Marcatura sulla cassa: 9971GM. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Rds sulla resistenza attiva: 0.050R (50m Ohms). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Funzione: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 12ns. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 4A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio Vds(max): 20V

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Modalità di miglioramento DUAL MOSFET (canali N e P)". Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Nota: Vds 30V & 30V

C(in): 1685pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 55ms. Funzione: Alimentatori switching ad alta frequenza. Corrente del collettore: 56A. Ic(impulso): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 4360pF. Costo): 895pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 280 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 250uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 7400pF. Costo): 1000pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 450W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-323. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 5.5V. Corrente collettore Ic [A], max.: 40mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-343. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: 5Fx. Tensione drain-source Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 0.37V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.27W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 1. Nota: TU

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: B891F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP