APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G. C(in): 1685pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 55ms. Funzione: Alimentatori switching ad alta frequenza. Corrente del collettore: 56A. Ic(impulso): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: POWER MOS 7® IGBT. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 21:25.