AP88N30W

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3 - 4	10.04€	12.25€
5 - 9	9.48€	11.57€
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AP88N30W. C(in): 8440pF. Costo): 1775pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 88N30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Rds sulla resistenza attiva: 48m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

Documentazione tecnica

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