Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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AP9962GH

AP9962GH
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1 - 4 1.25€ 1.53€
5 - 9 1.19€ 1.45€
10 - 24 1.12€ 1.37€
25 - 49 1.06€ 1.29€
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AP9962GH. C(in): 1170pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 9962GH. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 27.8W. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 8 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDD8447L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
FDD8447L
C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: FDD8447L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, inverter, alimentatori. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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