AP9971GI

AP9971GI. C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NO. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220CFM. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 21:25.