APT8075BVRG

APT8075BVRG. C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: commutazione rapida, bassa perdita. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 21:25.