Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

AP4506GEH

AP4506GEH
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AP4506GEH. Tipo di canale: N-P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.

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Tipo di canale: N-P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4
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Tipo di canale: N-P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 11W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4
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