Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A743. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

Quantità per scatola: 1

Quantità per scatola: 1. Spec info: sostituire

Quantità per scatola: 1

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 1250 MHz. Corrente del collettore: 20mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 20V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: 4502C. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Potenza: 228W. Alloggiamento: TO-247AC. Diodo incorporato: sì. Tensione drain-source (Vds): 1200V

C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08P20V. Protezione GS: NINCS

C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08N20V. Protezione GS: NINCS

C(in): 630pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 22m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21.5 ns. Td(acceso): 3.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 933pF. Costo): 108pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 21 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 1.3V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 621pF. Costo): 118pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Rds sulla resistenza attiva: 23.4m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15.1 ns. Td(acceso): 4.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 520pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Protezione GS: NINCS

C(in): 1160pF. Costo): 187pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 17.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Rds sulla resistenza attiva: 18M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51.7 ns. Td(acceso): 6.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Protezione ESD. Protezione GS: sì

C(in): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.7W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0085 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4407A. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2330pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0094 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 49.5 ns. Td(acceso): 12.8 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 6060pF. Costo): 638pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 33.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0047 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51.5 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Resistenza del gate ultrabassa. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P

Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P

Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 28/35m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P. Spec info: sostituto del MOSFET

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Tecnologia: Transistor MOSFET complementari, canale N e canale P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Tipo di canale: N-P. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Tipo di canale: N-P. Funzione: modalità di miglioramento complementare FET. Ids: 1...5uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16.2/4.8 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 2. Nota: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)