AO3416

AO3416. C(in): 1160pF. Costo): 187pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 17.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. Rds sulla resistenza attiva: 18M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51.7 ns. Td(acceso): 6.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Protezione ESD. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.