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ALF08N20V

ALF08N20V
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1 - 1 28.18€ 34.38€
2 - 2 26.77€ 32.66€
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ALF08N20V. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. ID (min): 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complementare (coppia) ALF08P20V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.

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Prodotti equivalenti :

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ECX10N20

ECX10N20

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scat...
ECX10N20
Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10P20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
ECX10N20
Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10P20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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