Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43€ | 0.52€ |
10 - 24 | 0.41€ | 0.50€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
50 - 99 | 0.37€ | 0.45€ |
100 - 249 | 0.36€ | 0.44€ |
250 - 402 | 0.32€ | 0.39€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43€ | 0.52€ |
10 - 24 | 0.41€ | 0.50€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.48€ |
50 - 99 | 0.37€ | 0.45€ |
100 - 249 | 0.36€ | 0.44€ |
250 - 402 | 0.32€ | 0.39€ |
AO3401A. C(in): 933pF. Costo): 108pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 21 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 1.3V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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