AO4427

AO4427. C(in): 2330pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0094 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 49.5 ns. Td(acceso): 12.8 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1.7V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.