AO3407A

AO3407A. C(in): 520pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 11 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.