AP9575GP
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.78€ | 10.71€ |
| 2 - 2 | 8.34€ | 10.17€ |
| 3 - 4 | 7.91€ | 9.65€ |
| 5 - 9 | 7.47€ | 9.11€ |
| 10 - 19 | 7.29€ | 8.89€ |
| 20 - 29 | 7.12€ | 8.69€ |
| 30+ | 6.85€ | 8.36€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.78€ | 10.71€ |
| 2 - 2 | 8.34€ | 10.17€ |
| 3 - 4 | 7.91€ | 9.65€ |
| 5 - 9 | 7.47€ | 9.11€ |
| 10 - 19 | 7.29€ | 8.89€ |
| 20 - 29 | 7.12€ | 8.69€ |
| 30+ | 6.85€ | 8.36€ |
AP9575GP. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 21:25.
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