Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BC109C

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BC109C. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Cost...
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 270. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC547C
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 270. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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