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BC107C

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BC107C. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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