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Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V - BC107C

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Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V - BC107C. Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore Cdil. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V
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