Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.53€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.45€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.38€ |
25 - 49 | 1.06€ | 1.29€ |
50 - 67 | 1.04€ | 1.27€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.25€ | 1.53€ |
5 - 9 | 1.19€ | 1.45€ |
10 - 24 | 1.13€ | 1.38€ |
25 - 49 | 1.06€ | 1.29€ |
50 - 67 | 1.04€ | 1.27€ |
AOY2610E. C(in): 1100pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: AOY2610E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 22 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: Trench Power AlphaSGTTM technology. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
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