Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.33€ | 2.84€ |
5 - 9 | 2.22€ | 2.71€ |
10 - 24 | 2.10€ | 2.56€ |
25 - 25 | 1.98€ | 2.42€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.33€ | 2.84€ |
5 - 9 | 2.22€ | 2.71€ |
10 - 24 | 2.10€ | 2.56€ |
25 - 25 | 1.98€ | 2.42€ |
AON6246. C(in): 2850pF. Costo): 258pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 19 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 5.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità per scatola: 1. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
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