AON6512

AON6512. C(in): 3430pF. Costo): 1327pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 22 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33.8 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: "L ultima tecnologia Trench Power AlphaMOS". Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.