AO4716

AO4716. C(in): 2154pF. Costo): 474pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 20mA. ID (min): 0.1mA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25.2 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Quantità per scatola: 1. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.