AP40T03GP

AP40T03GP. C(in): 655pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 40T03 GP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.25W. Rds sulla resistenza attiva: 25m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 mS. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.