Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK4108

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2SK4108. C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): n/a. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 280 ns. Td(acceso): 130 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.

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C(in): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS ad effetto di campo (MOSVII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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