2SK3199
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 6.14€ | 7.49€ |
| 2 - 2 | 5.83€ | 7.11€ |
| 3 - 4 | 5.52€ | 6.73€ |
| 5 - 9 | 5.22€ | 6.37€ |
| 10 - 19 | 5.09€ | 6.21€ |
| 20 - 29 | 4.97€ | 6.06€ |
| 30+ | 4.79€ | 5.84€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 6.14€ | 7.49€ |
| 2 - 2 | 5.83€ | 7.11€ |
| 3 - 4 | 5.52€ | 6.73€ |
| 5 - 9 | 5.22€ | 6.37€ |
| 10 - 19 | 5.09€ | 6.21€ |
| 20 - 29 | 4.97€ | 6.06€ |
| 30+ | 4.79€ | 5.84€ |
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2SK3199. C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.
Prodotti equivalenti :
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C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS
C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS
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C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET....
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