Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3679

2SK3679
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1 - 1 5.96€ 7.27€
2 - 2 5.66€ 6.91€
3 - 4 5.36€ 6.54€
5 - 9 5.06€ 6.17€
10 - 19 4.94€ 6.03€
20 - 29 4.82€ 5.88€
30 - 47 4.65€ 5.67€
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2SK3679. C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 3.2us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3679. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.

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Prodotti equivalenti :

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FQPF9N90C

FQPF9N90C

C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 5...
FQPF9N90C
C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS
FQPF9N90C
C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS
Set da 1
4.37€ IVA incl.
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STP9NK90Z

STP9NK90Z

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (mi...
STP9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
STP9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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STF9NK90Z

STF9NK90Z

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
STF9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
STF9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
Set da 1
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Consigliamo inoltre :

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NJM4558D

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Funzione: amplificatore operazionale. Nota: OP-IC. Nota: 158 series. Numero di terminali: 8:1. RoHS:...
NJM4558D
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NJM4558D
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2.45€ IVA incl.
(2.01€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 46
SW2201-15R-W

SW2201-15R-W

Ritaglio/foratura del pannello: 31x22mm. Durata di vita: 10000 cicli. Modalità di commutazione: 2x ...
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SW2201-15R-W
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2.75€ IVA incl.
(2.25€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 23
STW9NK90Z

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C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (mi...
STW9NK90Z
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Quantità in magazzino : 24
STP9NK90Z

STP9NK90Z

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (mi...
STP9NK90Z
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(3.92€ Iva esclusa)
4.78€
Quantità in magazzino : 123
SW2201-15G

SW2201-15G

Ritaglio/foratura del pannello: 31x22mm. Durata di vita: 10000 cicli. Modalità di commutazione: 2x ...
SW2201-15G
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SW2201-15G
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2.60€ IVA incl.
(2.13€ Iva esclusa)
2.60€
Quantità in magazzino : 155
2N2905A

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore, t...
2N2905A
[LONGDESCRIPTION]
2N2905A
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1.01€ IVA incl.
(0.83€ Iva esclusa)
1.01€
Esaurito
CABLE-151K

CABLE-151K

Nota: Cavo seriale. Nota: maschio/femmina. Nota: D-CON.CABLE. Nota: DSUB 1--1...
CABLE-151K
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CABLE-151K
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7.43€ IVA incl.
(6.09€ Iva esclusa)
7.43€
Quantità in magazzino : 120
SW2201-15R

SW2201-15R

Ritaglio/foratura del pannello: 31x22mm. Durata di vita: 10000 cicli. Modalità di commutazione: 2x ...
SW2201-15R
[LONGDESCRIPTION]
SW2201-15R
[LONGDESCRIPTION]
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2.70€ IVA incl.
(2.21€ Iva esclusa)
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