Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3114

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2SK3114. C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.

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