Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2645

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2SK2645. C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns....
2SK1507
C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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