Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3563

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2SK3563. C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.

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C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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2SK2717

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C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 13...
2SK2717
C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì
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