Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SK2717

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2SK2717. C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.78 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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