Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3264-01MR

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2SK3264-01MR. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 1.62 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1. Funzione: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.

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Tipo di canale: N. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA . Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P7NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Vgs(esimo) min.: 3.75V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 5.2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Numero di terminali: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tensione drain-source (Vds): 800V. Protezione GS: sì
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