Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3176

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2SK3176. C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.

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C(in): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 186 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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