2SK3530-01MR
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.28€ | 19.86€ |
| 2 - 2 | 15.47€ | 18.87€ |
| 3 - 4 | 14.66€ | 17.89€ |
| 5 - 9 | 13.84€ | 16.88€ |
| 10 - 14 | 13.52€ | 16.49€ |
| 15 - 19 | 13.19€ | 16.09€ |
| 20+ | 12.70€ | 15.49€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.28€ | 19.86€ |
| 2 - 2 | 15.47€ | 18.87€ |
| 3 - 4 | 14.66€ | 17.89€ |
| 5 - 9 | 13.84€ | 16.88€ |
| 10 - 14 | 13.52€ | 16.49€ |
| 15 - 19 | 13.19€ | 16.09€ |
| 20+ | 12.70€ | 15.49€ |
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2SK3530-01MR. C(in): 740pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.3 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.46 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.
Prodotti equivalenti :
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C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 5...
C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS
C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS
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